六九一二：GaN固态阵列与磁控管是现阶段高功率微波的两条主要技术路线
发布时间：2026-10-31 23:09:48 作者：玩站小弟 
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我要评论(资料图片仅供参考)六九一二(301592)07月27日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者：董秘您好，据媒体报道，美国军用高功率微波武器制造商Epirus采用固态氮化镓GaN）半导体技术，
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(资料图片仅供参考)
六九一二(301592)07月27日在投资者关系平台上答复投资者关心的固功率问题。
投资者：董秘您好，态阵条主据媒体报道，列磁路线美国军用高功率微波武器制造商Epirus采用固态氮化镓（GaN）半导体技术，控管一定程度上实现了对传统的现阶磁控管技术路线的迭代。请问公司的段高的两高功率微波技术达到何种水平？六九一二董秘：GaN固态阵列与磁控管是现阶段高功率微波的两条主要技术路线，二者各有特点，微波面向不同的技术应用需求，更多是固功率互补关系而非简单替代。磁控管属于电真空器件，态阵条主单管即可实现吉瓦级高峰值功率输出，列磁路线具有系统链路简洁、控管工程实现成熟、现阶效费比高等优势，段高的两但波形和脉宽的微波可调范围相对有限，波束转向一般依赖机械转台。GaN固态阵列通过大量功放单元功率合成输出，采用相控阵电控扫描，可实现波束微秒级捷变，多目标响应速度快；同时也面临设备造价较高、通道合成存在损耗、长时间工作散热和供电负荷压力大等工程难点。实际应用中，两种技术路线通常根据具体需求搭配使用、相互补充。 公司在高功率磁控管技术方面拥有多年的技术积累和自主知识产权，同时持续跟踪包括GaN固态阵列在内的国外各类技术路线发展动态。公司产品布局及经营情况请以公司在指定信息披露媒体披露的定期报告及相关公告为准。感谢您的关注！
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